[发明专利]连续真空层压处理系统无效
申请号: | 97117638.8 | 申请日: | 1997-08-13 |
公开(公告)号: | CN1096716C | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 吉野豪人;深江公俊;井上裕二;丝山诚纪 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/50;B32B31/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑中军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 连续真空层压处理系统,至少包括堆积必要组成件形成接受真空层压处理的堆积体的叠层工区、对堆积体抽真空的抽真空工区与对堆积体的热处理工区,各工区毗邻排成圈;于叠层工区中形成堆积体是在一批能有选择装或卸和有选择进到各工区的真空层压装置上进行,而且是在此种装置上对堆积体连续作真空层压处理同时使各装置依给定秩序相继通过上述各工区。还给出了适用作此系统中真空层压装置的真空层压设备。 | ||
搜索关键词: | 连续 真空 层压 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种连续真空层压处理系统,它能连续地进行:(1)堆积步骤,按给定顺序堆积背侧盖件、第一填充件、待密封的部件、第二填充件与表面侧盖件而形成堆积体;(2)抽真空步骤,使由上述表面侧盖件与背侧盖件夹层的该堆积体的区域减压;与(3)加热步骤;使该堆积体按给定秩序于所需温度下进行热处理,特征在于:堆积步骤(1)是在具有能在内部抽真空并可沿垂向装载的结构的一批真空层压装置中进行;在堆积步骤之后,即用装载设备沿垂向装载这批真空层压装置形成堆垛形式;将上述堆垛依给定顺序进行真空步骤(2)与加热步骤(3)的处理;用卸载设备将各真空层压装置分别从所述堆垛上卸下;以及从各个真空层压装置上取出经过真空层压处理的堆积体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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