[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 97118411.9 | 申请日： | 1997-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1191370A | 公开（公告）日： | 1998-08-26 |
| 发明（设计）人： | 中尾浩之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供可以按行为单位进行成批写入并且布局面积小的半导体存储器。在DRAM的列译码器4.1内,与各列选择线CSL对应地设置接收检验信号TE1和列译码器单位电路16的输出的“或”门17。当检验信号TE1成为激活电平的高电平时,所有的列选择线CSL成为高电平,所有的列选择门CSG1、CSG2导通,从而可以按行为单位进行成批写入。由于不需要另外设置成批写入用的电路,所以,可以减小布局面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种具有按行为单位进行数据的写入的成批写入模式的半导体存储器，其特征在于具有：包括排列成矩阵状的多个存储器单元、与各行对应地设置的字线和与各列对应地设置的位线对的存储器阵列；用于在上述存储器阵列和外部之间进行数据的输入输出的数据输入输出线对；与各位线对对应地设置的、连接在对应的位线对和上述数据输入输出线对的一端之间的列选择门；按照行地址信号选择上述存储器阵列中的某一字线的行选择装置；按照列地址信号选择上述存储器阵列中的某一位线对、并使与该位线对对应的列选择门导通的列选择装置；以及与上述数据输入输出线对的另一端连接的、将从外部供给的数据通过由上述列选择装置选择的位线对写入与由上述行选择装置选择的字线对应的存储器单元的写入装置。上述列选择装置根据上述成批写入模式指令的要求选择上述存储器阵列中的所有的位线对、并使与所选择的各位线对对应的列选择门导通。
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