[发明专利]集成电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 97119667.2 | 申请日： | 1997-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1188986A | 公开（公告）日： | 1998-07-29 |
| 发明（设计）人： | 肯尼斯·雷蒙德·卡特;詹姆斯·拉普顿·海德里克;罗伯特·丹尼斯·米勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01B3/18;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路装置,它包括(i)衬底;(ii)位于衬底上的金属电路线和(iii)位于电路线上的电介质材料。电介质材料包括有机聚硅氧烷和最好被烷氧基甲硅烷基烷基封端的未缩合前身聚合物的反应产物。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路装置，包括：(a)衬底；(b)位于衬底上的金属电路线，和(c)位于电路线附近的电介质组合物，该组合物包括有机聚硅氧烷和选自未缩合的聚苯并噁唑、聚苯并噻唑和聚苯并嘧唑聚合物的前身聚合物的反应产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
