[发明专利]具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底无效
| 申请号： | 97120399.7 | 申请日： | 1997-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1089190C | 公开（公告）日： | 2002-08-14 |
| 发明（设计）人： | 滨岛智宏 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/70;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘体上硅薄膜衬底，其包括第一硅衬底，与第一硅衬底键合的第二硅衬底，在第一和第二硅衬底之间接触面的多个第一类型区上形成的多个绝缘膜图形，以便在该多个第一类型区上的第一和第二硅衬底通过所述多个绝缘膜图形间接地键合，而在多个第二类型区上的第一和第二硅衬底彼此直接地键合，其中该多个第一类型区中的每一个的所有边缘与该多个第二类型区相邻接，而该多个第二类型区中的每一个的所有边缘与该多个第一类型区相邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 绝缘 图形 绝缘体 薄膜 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅薄膜衬底，其包括第一硅衬底，与所述第一硅衬底键合的第二硅衬底，在所述第一和第二硅衬底之间接触面的多个第一类型区上形成的多个绝缘膜图形，以便在所述多个第一类型区上的所述第一和第二硅衬底通过所述多个绝缘膜图形间接地键合，而在多个第二类型区上的所述第一和第二硅衬底彼此直接地键合，其中所述多个第一类型区中的每一个的所有边缘与所述多个第二类型区相邻接，而所述多个第二类型区中的每一个的所有边缘与所述多个第一类型区相邻接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
