[发明专利]存储器无效
| 申请号： | 97120849.2 | 申请日： | 1997-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1195861A | 公开（公告）日： | 1998-10-14 |
| 发明（设计）人： | 中里和郎;伊藤清男;水田博;佐藤俊彦;田寿一;哈鲁恩·阿迈德 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成,包裹形成存储节点的硅的多晶层,以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构,和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：用于电荷载流子的路径(1)；用于存储电荷的节点(1、30、36、44)，该电荷产生使所述路径的导电性改变的电场；和电荷载流子可穿越的隧道阻挡层结构(2)，以便相应于所提供的电压，在所述节点上存储电荷载流子，所述隧道阻挡层结构呈现的能带剖面具有较低阻挡层高度中较宽的阻挡层成分(17)，和有较高阻挡层高度中至少一维较窄的阻挡层成分(18)。
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