[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 97123044.7 | 申请日： | 1997-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1196581A | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | W·P·诺布尔;A·K·加塔利亚;B·埃尔－卡埃 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,叶恺东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构,它包括具有这样的栅极导体的晶体管,此棚极导体有由凸起的隔离结构包围的第一和第二边缘(例如STI)。源扩散自对准到所述栅极的所述第三边缘,而漏扩散自对准到所述栅极的所述第四边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于包括：一种晶体管，它有栅极，所述栅极包括薄的介质和单独的栅极导体段，所述栅极导体基本上与所述薄介质一起延伸，所述栅极导体的顶面有相对的第一和第二边缘以及相对的第三和第四边缘；包着所述第一和第二边缘的凸起的隔离物；与所述第三边缘自对准的源和与所述第四边缘自对准的漏；和与所述顶面接触的导电布线层。
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