[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 97125250.5 | 申请日： | 1997-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1087498C | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 铃木久满 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过仅在发射极电极上原封不动地保持绝缘膜，同时对绝缘电极和栅电极构图，可以在形成PMOS的源-漏和非本征基极的过程中，防止在发射极电极中注入高浓度P型杂质，从而防止了发射极电阻的增加和分散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底表面上形成栅氧化膜和给发射极接触开孔；在栅氧化膜上形成导电膜和绝缘膜；在包括用于发射极接触区的区域上选择性地原封不动保持绝缘膜；形成用于栅电极的掩模；和同时形成栅电极和发射极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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