[发明专利]磁光记录介质无效
| 申请号： | 97125345.5 | 申请日： | 1997-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1184269A | 公开（公告）日： | 1998-06-10 |
| 发明（设计）人： | 安孙子透 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/043 | 分类号： | G03G5/043 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种有改善的信号量的磁光记录介质,这是将记录层居里温度安排在较高温度且没有使重复记录和再现性能有任何下降情况下达到的。按照本发明的磁光记录介质是在衬底上形成第一介电层,至少含氮化硅的第二介电层形成在第一介电层上,以及由磁性薄膜构成的记录层形成在第二介电层上,该磁性薄膜的居里温度为200℃或更高。这种磁光记录介质的特征是,第一介电层的热导率小于第二介电层的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁光记录介质，它包括：衬底上形成的第一介电层；第一介电层上形成的第二介电层，且至少含氮化硅，以及第二介电层上形成的记录层，记录层的居里温度为200℃或更高；该磁光记录介质的特征是，第一介电层的热导率小于第二介电层的热导率。
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