[发明专利]半导体器件

摘要

一种金属氧化物半导体大规模集成电路(MOSLSI)，其中扩散层的表面由硅构成。MOSLSI包括由MOS晶体管形成的输入及输出保护元件。每个MOS晶体管包括一个形成在漏极扩散层与栅电极之间的物氧化物膜，这样栅电极部分延伸到场氧化膜上部位置。在包括场氧化膜及漏极扩散膜的区域下面形成与漏极扩散层的导电型相同的阱。由于场氧化膜的下部表现出高电阻，即使在扩散层的表面上形成具有低电阻的硅层，晶体管的击穿电压也被保持在高值。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于包含：形成在半导体基片上的多个电路元件；在所述半导体基片上以选择的方式提供用于将所述电路元件彼此电隔离的场氧化物薄膜；用于向所述电路元件中的第一个提供外部信号的输入端；用于从所述电路元件中的第二个向外提供信号的输出端；及一对内置在所述第一电路元件与所述输入端之间及所述第二电路元件与所述输出端之间用于在外部电涌中保护所述电路元件的保护元件；每个所述保护元件包括多个并行设置的MOS晶体管，而其中每个MOS晶体管包括一个源极区、一源极电极、一漏极区、一漏极电极、一绝缘区以及一栅极电极，而其中源极电极包括以选择的方式形成在所述半导体基片的表面部分的第一导电型的一区域上的第二导电型的第一扩散层和形成在第二导电型的所述第一扩散层的表面上的第一金属硅化物层；源电极与所述第一金属硅化物层连接；漏极区包括第二导电型的第二扩散层，其在第一导电型的所述区域的至少一表面部分上与第二导电型的所述第一扩散层成相对的关系设置，并且延伸的比所述第二导电型的第一扩散层深；还包括形成在第二导电型的所述第二扩散层的表面部分上并包含浓度比第二导电型的所述第二扩散层的表面部分的浓度高的杂质浓度的第二导电型的第三扩散层，提供在第二导电型的所述第三扩散层的表面上的第二金属硅化物层；漏电极与所述第二金属硅化物层连接，在第二导电型的所述第一扩散层与第二导电型的所述第三扩散层之间形成一绝缘区并且从第二导电型的所述第二扩散层的表面延伸到一预定深度；另外其中的栅电极盖住第二导电型的所述第一扩散层与内置有栅绝缘膜的所述绝缘区之间的所述半导体基片的表面。