[发明专利]介电元件的制造方法无效
| 申请号： | 97182437.1 | 申请日： | 1997-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1276089A | 公开（公告）日： | 2000-12-06 |
| 发明（设计）人： | 生田目俊秀;铃木孝明;东山和寿;大石知司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/94;H01B3/12;H01G4/10;H01G4/12;H01G4/20;C03C10/02;C04B35/47;C04B35/475;B32B18/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的形式夹于电极之间。通过将该铁电元件装进场效应晶体管结构中,可以得到用以检测读出和写入的具有高集成度的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含上电极、介电薄膜和下电极的介电元件，其中所述介电薄膜包含电阻值不等于或小于106Ω的绝缘粒子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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