[发明专利]具有垂直层叠跨接的存储单元设计无效
| 申请号： | 97194710.4 | 申请日： | 1997-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1222254A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | M·T·波尔;J·K·格雷森 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有垂直层叠跨接(520,521)的存储单元(50)。在现有的存储单元中,存储单元内的跨接连接在相同的器件层中实现。由于在布线设计中需要跨接并排地设置。所以浪费了有用的设计空间。本发明在不同的器件层上用不同的材料实现跨接。因此跨接可以垂直地层叠于彼此的顶部,减少了存储单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 层叠 存储 单元 设计 | ||
【主权项】：
1．一种半导体存储单元，包括：具有第一输入和第一输出的第一反相器；具有第二输入和第二输出的第二反相器；包括第一导电层的第一跨接连接，所述第一跨接连接将所述第一输入连接到所述第二输出；以及包括第二导电层的第二跨接连接，所述第二跨接连接将所述第二输入连接到所述第一输出，其中所述第二跨接连接垂直地层叠在部分所述第一跨接连接的顶部。
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