[发明专利]制造半导体封装的方法无效
| 申请号： | 97195605.7 | 申请日： | 1997-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1222252A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·菲耶尔斯塔 | 申请（专利权）人： | 德塞拉股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体芯片封装的方法。把消耗层(100)用作基底,以选择性地形成导电焊接区(110)阵列,从而由这些焊接区来限定中央区(114)。把半导体芯片的背面(122)附加到位于焊接区之间的中央区内的消耗层上,从而芯片的触点承载表面(121)与消耗层分开。然后,通常通过其间的丝键合金属丝(130)把芯片触点电气连接到各个焊接区。然后,淀积液体密封剂(140)。使密封剂固化,并完整除去或选择性地除去消耗层,以暴露需电气附加到PWB的焊接区的表面以及用于产生从芯片到PWB的导热通路的芯片背面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体芯片封装的方法，其特征在于以下步骤：制备消耗层；在消耗层的第一表面上选择性地形成导电焊接区阵列，从而由这些焊接区来限定中央区；把半导体芯片的背面附加到中央区以内的消耗层，从而芯片的触点承载表面与消耗层分开；把每个触点电气连接到各个焊接区；在消耗层的第一表面上淀积可固化的介电材料，从而把焊接区、电气连线和芯片都密封起来，并固化此介电材料；以及选择性地除去消耗层的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
