[实用新型]真空微电子气体传感器无效
| 申请号： | 97235628.2 | 申请日： | 1997-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN2282680Y | 公开（公告）日： | 1998-05-27 |
| 发明（设计）人： | 刘锦淮;张耀华;李明强;张正勇;焦正;张蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥智能机械研究所 |
| 主分类号： | G01D5/42 | 分类号： | G01D5/42 |
| 代理公司： | 中国科学院合肥专利事务所 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种真空微电子气体传感器。其结构是在硅衬底上是电极,其上是氧化硅,在氧化硅上是单晶硅体;在单晶硅体中间有一离子化气室,在其中间有阴极发射尖端;在离子化气室的上面是底面有正电极的玻璃薄片。本实用新型体积小、功耗小,制作简单,选择性好,可靠性高,抗干扰能力强,抗辐射能力强,检测精度高,性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 微电子 气体 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种真空微电子气体传感器，其特征在于，硅衬底上有一层负电极，其上是一层氧化硅；在氧化硅层上是一层单晶硅体，在其中间有离子化气室；在离子化气室中有阴极发射尖端；在离子化气室的上面是玻璃薄片，玻璃薄片的底面有一层梳状正电极；光敏探测器放置在玻璃薄片的上方。
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