[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98100145.9 | 申请日： | 1998-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1188991A | 公开（公告）日： | 1998-07-29 |
| 发明（设计）人： | 小田典明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂,刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括具有一元件区及源极和漏极区的半导体基片,在所述半导体基片的元件区形成的含氮栅介质膜,在栅介质膜上形成的栅极,邻近栅极形成的以便确定其侧壁的第一介质膜,形成的以便于覆盖栅极和第一介质膜的第二介质膜,第二介质膜是掺杂氮的,及为覆盖第二介质膜形成的第三介质膜,第三介质膜是氮化硅构成的,还说明了一种制造此半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于它包括：具有一元件区及源极和漏极区的一半导体基片；在所述半导体基片的所述元件区中形成的含有氮的一栅介质膜；在所述栅介质膜上形成的一栅极；邻近所述栅极形成的以便于确定其侧壁的一第一介质膜；形成的以便于覆盖所述栅极和所述第一介质膜的一第二介质膜，所述第二介质膜是掺杂氮的；形成的以便于覆盖所述第二介质膜的一第三介质膜，所述第三介质膜是氮化硅构成的。
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