[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 98100274.9 申请日: 1998-01-23
公开(公告)号: CN1094252C 公开(公告)日: 2002-11-13
发明(设计)人: 浜田健彦;浜田昌幸 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 卢纪,刘文意
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 将接触对准标记(18A)设在夹层绝缘膜(17)中,而将布线对准标记(19A)形成在栅对准标记(15A)之上,使布线对准标记(19A)的尺寸略大于栅对准标记(15A)。与此同时,所有在下边的其它对准标记均被屏蔽膜(19S)屏蔽住。所有在下边的对准标记均由不透明对准标记和不透明屏蔽膜屏蔽住,以此可以连续相互堆叠形成对准标记。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种具有用以分隔芯片区的划线区的半导体器件,其特征在于,它包括:形成在划线区内的第一对准标记;形成在所述第一对准标记上的第一夹层绝缘膜;以及包含有选择地复盖所述第一夹层绝缘膜的一层不透明膜在内并设在所述第一对准标记之上的第二对准标记,其中所述第一对准标记被所述第二对准标记屏蔽;所述第一对准标记包括多个排列规则的第一基准标记,而所述第二对准标记包括多个排列规则的第二基准标记并且它们的每一尺寸大于每一第一基准标记至少一个足供定位的量,所述第一和第二基准标记排列成使每一所述第二基准标记设在每一所述第一基准标记上面。
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