[发明专利]具有铁电存储电容器的半导体存储器件无效
申请号: | 98100819.4 | 申请日: | 1998-02-16 |
公开(公告)号: | CN1190800A | 公开(公告)日: | 1998-08-19 |
发明(设计)人: | 田边伸广;天沼一志 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/108 |
代理公司: | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰,朱进桂 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 所提供的半导体存储器件,每个存储电容器具有被下部及上部电极所夹的电介质。下部电极由制作图形的共用导电层制成,电介质由形成在共用导电层上被加工图形的共用铁电层制成,且铁电层与共用导电层重合。上部电极规则设置在共用铁电层上且位于矩阵阵列的行及列之外,其中共用导电层和共用铁电层的窗口对齐。布线线路通过盖住存储电容器的夹层绝缘层形成在上部电极上,从而将上部电极与选择晶体管电连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 存储 电容器 半导体 器件 | ||
【主权项】:
1、一种形成在半导体基片上的具有存储单元的半导体存储器件,其特征在于:每个所述的存储单元包括一形成在所述基片上的选择晶体管和通过第一夹层绝缘层在所述基片上形成的用于电荷存储的存储电容器;每个所述存储电容器都具有一下部电极、一上部电极及被所述下部和上部电极所夹的电介质;所述半导体存储器件包含:(a)由在所述第一夹层绝缘层上形成的的被加工图形的共用导电层形成的所述下部电极;(b)具有在矩阵阵列的行和列中规则设置的第一组多个窗口的所述共用导电层;(c)由在所述共用导电层上形成的被加工图形的共用铁电层形成的所述电介质;所述共用铁电层整体地与所述共用导电层重叠;所述共用铁电层具有与所述共用导电层的所述第一组多个窗口相重叠的第二组多个窗口;(d)被规则地设置在所述共用铁电层上的所述上部电极;所述上部电极位于所述矩阵列的所述行和列的外部,其中所述共用导电层的所述第一组多个窗口与所述共用铁电层的所述第二组多个窗口对齐;及(e)布线线路通过盖住所述存储电容器的第二夹层绝缘层形成在所述上部电极上方;所述布线线路通过穿过所述第二夹层绝缘层的第一组多个连接孔与所述上部电极电连接;所述布线线路通过所述共用铁电层的第二组多个窗口、所述共用导电层的所述第一组多个窗口及穿过所述第二和第一夹层绝缘层的第二组多个连接孔与所述选择晶体管电连接;
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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