[发明专利]隐性重离子核径迹防伪标识的制造方法及其制品无效
| 申请号： | 98101032.6 | 申请日： | 1998-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1229225A | 公开（公告）日： | 1999-09-22 |
| 发明（设计）人： | 朱天成;陈大年;刘宣玮;胡兵 | 申请（专利权）人： | 朱天成;陈大年;刘宣玮;胡兵 |
| 主分类号： | G09F3/00 | 分类号： | G09F3/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 吴秉芬 |
| 地址： | 102413 北京市28*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及隐性重离子核径迹防伪标识的制造方法及其产品。本方法包括1).用具有一定能量和质量的重离子对透明的高分子聚合膜进行电离辐照;2).用紫外光透过防伪标识模板对高分子聚合膜进行氧化照射;3).用化学蚀刻液对经氧化照射的高分子聚合膜进行化学蚀刻;4).中和、清洗和干燥经化学蚀刻后的高分子聚合膜,得到所要的防伪标识。由于本发明产品的隐性特性,使得本发明产品无法用机械或化学方法来伪冒。从而可以更好表明所保护的物品的真实性,更好地维护著名商标和著名企业的声誉。 | ||
| 搜索关键词： | 隐性 离子 径迹 防伪 标识 制造 方法 及其 制品 | ||
【主权项】：
1.一种隐性防伪标识的二次曝光制造方法，由以下几个步骤所组成：1).用具有一定能量和一定质量的重离子对透明的高分子聚合物膜进行电离辐照；其特征在于：2).用紫外光透过一个防伪标识模板对电离辐照后的高分子聚合膜进行氧化照射；3).用化学蚀刻液对氧化照射后的高分子聚合膜进行化学蚀刻；4).中和、清洗和干燥经化学蚀刻后的高分子聚合膜，得到所要的防伪标识。
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