[发明专利]非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 98101876.9 | 申请日： | 1998-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1202704A | 公开（公告）日： | 1998-12-23 |
| 发明（设计）人： | 小畑弘之 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/407;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明所述的半导体存储器件含有一个写入电路和一个与该写入电路耦合连接的位线。写入电路的输出通过一个传输门送往对应的位线。在数据写入期间,当写入“0”时,位线上将接有一个写入电压,当写入“1”时,位线上将接有零伏电压。位线因此将不会在写入“1”或“0”时处于漂移状态,从而防止位线电位因噪声而升高,进而消除了数据写入错误。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.用于半导体存储器件的写入电路，其特征在于上述写入电路包括：可锁存写入数据的锁存电路；门电路，它可根据一个信号，将与上述锁存电路中的上述写入数据相应的电压发送到上述半导体存储器件的信号线上。
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