[发明专利]阵列的单元布局相同且周边电路对称的半导体存储器件无效
申请号: | 98102015.1 | 申请日: | 1998-05-28 |
公开(公告)号: | CN1096711C | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 笠井直记 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 卢纪 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体动态随机存取存储器件包括排成两列的多个存储器单元阵列,而一列存储器单元阵列有存储器单元子阵列和围绕着存储器单元子阵列排列的读数放大器和子字线驱动器之类的周边电路;子阵列的存储器单元排列在第一图形(P)中,而邻近子阵列的周边电路则相对于与列的方向垂直的对称线相对称地排列,使得在不妨碍设计工作简便性的情况下增加了对准的余量。 | ||
搜索关键词: | 阵列 单元 布局 相同 周边 电路 对称 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1、一种制造在一块半导体基片(40,70)上的半导体存储器件,包括有:沿第一方向(AR11)排列的多个存储器单元阵列(41e-41h;71e-71h),并至少形成一对第一存储器单元阵列(41g/41h);以及与所述至少一对存储器单元阵列的存储器单元可以电连接并设置在所述至少一对的存储器单元阵列之一和所述至少一对的其它所述存储器单元阵列之间的确定的周边电路(40e),所述半导体存储器件的特征在于:所述至少一对的所述存储器单元阵列的所述一个(41h;71h)包括各有沿所述第一方向排列在第一图形(P)中的第一存储器单元的多个第一存储器单元子阵列(42a;43a)以及各与所关联的第一存储器单元子阵列的所述第一存储器单元可以电连接并排列在第二图形(F)中的多个第一周边电路(42b/42c;43b/43c),以及所述至少一对的所述其它(41g;71g)的所述存储器单元阵列包括各有沿所述第一方向排列在所述第一图形(P)中的第二存储器单元的多个第二存储器单元子阵列(43a)以及各与所关联的第二存储器单元子阵列的所述第二存储器单元可以电连接并排列在相对于与所述第一方向垂直的第二方向与所述第二图形相对称的第三图形中的多个第二周边电路(43b/43c)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的