[发明专利]半导体集成电路及用于补偿其器件性能变化的方法无效
| 申请号： | 98102215.4 | 申请日： | 1998-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1203451A | 公开（公告）日： | 1998-12-30 |
| 发明（设计）人： | 齐藤龙也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体集成电路芯片被划分为多个区域,每个组合有性能变化补偿电路,性能变化补偿电路向并在该区域的以MOSFET提供电源补偿阈值电压的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 用于 补偿 器件 性能 变化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种补偿半导体集成电路的器件性能变化的方法，其特征在于包含如下步骤：将用于执行半导体集成电路功能的载有MOSFETs的芯片划分为多个区域；及将向MOSFETs提供稳定电源以补偿MOSFETs的阈值电压变化的性能变化补偿电路组合到各个被划分的区域中，从而使组合有性能变化补偿电路的区域中的器件性能变化将通过所述性能变化补偿电路而得到补偿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
