[发明专利]集成电路的测试方法与装置无效
| 申请号： | 98103705.4 | 申请日： | 1998-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1190255A | 公开（公告）日： | 1998-08-12 |
| 发明（设计）人： | 伯纳德J·佩帕特;克拉克·谢泼德;艾尔弗雷德·拉里·克劳奇;罗伯特·阿什 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种探测有缺陷的CMOS器件的方法,利用一个做在芯片和(或)圆片一次性面积上的监测电路来监测静态电流的状态。将监测单元加进圆片的划片道中,其中压焊点做在芯片的角上并且通过圆片的金属连线与监测单元连接。监测单元10根据表示电压随时间衰减的IDDQ来确定缺陷芯片,其中Vdd通过监测单元中的开关加到芯片上。其它的实施方法将不同的配置和功能及其它测试加入圆片级测试系统。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
1一个圆片，具有以下特征：一个集成在圆片第一部分上的第一芯片；并且一个集成在圆片第二部分上的第一监测电路，其中圆片的第二部分与第一部分分开，第一监测电路进行验证第一芯片预定工作的第一测试工作；其中第一测试工作测量第一芯片流出的电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
