[发明专利]阻挡层及其制造方法无效
| 申请号： | 98105263.0 | 申请日： | 1998-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1227402A | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 游萃蓉;卢火铁;孙世伟;黄益民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阻挡层，包括一半导体基底，所述半导体基底上已设有一传导层；一介电层，形成于所述传导层与所述半导体基底上，且在所述介电层中有一开口，所述开口露出所述传导层；一第一阻挡层，形成于所述开口中以及周缘，所述第一阻挡层中含有硅；以及一第二阻挡层，形成于所述第一阻挡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种阻挡层，包括：一半导体基底，所述半导体基底上已设有一传导层；一介电层，形成于所述传导层与所述半导体基底上，且在所述介电层中有一开口，所述开口露出所述传导层；一第一阻挡层，形成于所述开口中以及周缘，所述第一阻挡层中含有硅；以及一第二阻挡层，形成于所述第一阻挡层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98105263.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：排出气液控制装置
- 下一篇：宽度为18毫米的双线断路器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
