[发明专利]在低电源电压下高速动作的静态型半导体存储装置

摘要

在数据读出时减小位线振幅的位线负载元件,使用并联连接的p沟道MOS晶体管和n沟道MOS晶体管。在将字线驱动到选择状态时,将p沟道MOS晶体管保持在截止状态。在数据写入时,将n沟道MOS晶体管以及p沟道MOS晶体管同时被驱动至截止状态。即使在低电源电压下,也不受位线负载元件尺寸的影响而可以产生充分大的位线振幅。另外,通过在数据写入时将位线负载元件设定在非激活状态,就可以防止数据写入时产生直流电流。

主权项

1、一种半导体存储装置，具备：排列成矩阵形的多个存储单元；多条字线，对应于上述各行配置，每一字线连接对应行的存储单元；多对位线，对应于上述各列配置，每对位线连接对应列的存储单元；对应于各位线设置的，各被连接在对应的位线和电源节点之间的多个位线负载元件，每一位线负载元件具有：相互并列地连接在对应的位线和电源节点之间的第1导电类型的绝缘栅场效应晶体管和第2导电类型的绝缘栅场效应晶体管；响应数据写入指示信号和字线激活指示信号，调整上述多个位线负载元件的各对应的位线的负载的控制电路，该控制电路包含：在数据写入指示信号以及上述字线激活信号的激活时将上述第1以及第2导电类型的绝缘栅型晶体管设定在截止状态，并且响应上述字线激活信号的激活将上述第1导电类型绝缘栅型电场效果晶体管设置成截止状态的装置；读出电路，用于在数据读出模式时读出被地址指定后的存储单元的数据。