[发明专利]具有使电特性发生变化的电路的半导体存储器无效
| 申请号： | 98106223.7 | 申请日： | 1998-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1209631A | 公开（公告）日： | 1999-03-03 |
| 发明（设计）人： | 野崎利江子 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体存储器100中,将特性变化电路(51)连接到传送输出控制信号(OEM)的信号线(31)上。如果熔丝熔断正常,则熔丝(F1)与冗余性置换用的未图示的熔丝一起被熔断,如果熔丝熔断不正常,则不被熔断。在熔丝熔断不正常时,根据晶片测试控制信号(WT),信号线(31)的电位变成接地电位(VSS)电平。其结果,输出控制信号(OEM)固定为L电平,数据输入输出端子(DQi)的电位成为高阻抗状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 特性 发生 变化 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1．一种能够通过熔断第1熔丝进行冗余性置换和内部电源电位的调整的半导体存储器，其特征在于，具有：外部连接端子(DQi,Ai)；传送从上述连接端子接受的信号或向上述外部连接端子传送信号的第1信号线(32,33)；和根据上述第1熔丝熔断的正常与否，使上述第1信号线的电特性发生变化的装置(52,53,54,55,58,59)。
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