[发明专利]集成电路的制造方法无效
| 申请号： | 98107934.2 | 申请日： | 1998-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1234608A | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张良冬;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/31;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路的制造方法包括步骤预备半导体基板,其上形成半导体元件结构;形成绝缘层,在绝缘层上形成第一导电层,第一导电层向下延伸穿过绝缘层,与半导体元件结构之一接触;形成层间介电层,其包括在第一导电层上沉积第一介电层;涂布旋涂玻璃层;对旋涂玻璃层回蚀刻,使旋涂玻璃层上形成高分子堆积物;以氧等离子处理旋涂玻璃层,去除高分子堆积物;并且在旋涂玻璃层上沉积第二介电层等步骤;在层间介电层内蚀出通孔,通往第一导电层;并沉积第二导电层填入通孔内,并进行构图。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种集成电路的制造方法，其包括以下步骤：预备一面半导体基板，并在其上或内部形成半导体元件结构；在该半导体元件结构上形成一层绝缘层，并在该绝缘层上形成一第一导电层，该第一导电层向下延伸穿过该绝缘层，而与该半导体元件结构之一接触；形成一层层间介电层，其步骤包括：在该第一导电层上沉积一层第一介电层；在该第一介电层上涂布一层旋涂玻璃层；对该旋涂玻璃层进行回蚀刻，使旋涂玻璃层上形成高分子堆积物；以氧等离子处理该旋涂玻璃层，从而去除该高分子堆积物；并且在该旋涂玻璃层上沉积第二介电层，而完成该层间介电层；在该层间介电层内蚀出通孔，通往该第一导电层；并且沉积一第二导电层填入该通孔内，并进行构图，以完成该集成电路元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
