[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98108911.9 | 申请日： | 1994-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1223465A | 公开（公告）日： | 1999-07-21 |
| 发明（设计）人： | 小沼利光;张宏勇;菅原彰;铃木敦则;上原由起子;大沼英人;山口直明;须泽英臣;鱼地秀贵;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王岳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在绝缘衬底上形成的TFT,具有源、漏和沟道区,至少在沟道区上形成栅绝缘膜,并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区,以降低截止电流。形成这种结构的方法包括阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜;用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜,使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后,进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括下列步骤：在绝缘表面上形成半导体膜；在所说半导体膜上形成绝缘膜；在所说绝缘膜上形成栅电极；首先阳极氧化所说栅电极，以便在所说栅电极的至少一侧面上形成第一阳极氧化膜；用所说第一阳极氧化膜作为掩模，通过刻蚀将一部分的所说绝缘膜除去或减薄，以便形成栅绝缘膜；除去所说第一阳极氧化膜；以及用至少所说栅电极作为掩模并通过一部分所说栅绝缘膜将其中一种导电型杂质引进所说半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
