[发明专利]半导体存储器无效

专利信息
申请号: 98109662.X 申请日: 1998-06-05
公开(公告)号: CN1207560A 公开(公告)日: 1999-02-10
发明(设计)人: 的场健二郎 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一个半导体存储器包括一对提供第一和第二读取地址并把存储在所选存储单元中的数据读到一对位线其中一条上的读取地址端,以及一个选择器,这个选择器对选择的位线开关以确定目前读取的数据是提供给第一读取地址还是第二读取地址,并将所选位线上读取的数据输出到输出端。因此,该半导体存储器可将加到预冲信号输入端的信号频率设置得比传统半导体存储器频率要低,并可提高读取数据的速度。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1.一个半导体存储器,包括:第一和第二位线;多个在所述第一和第二位线间连接的存储单元;多对分别与相应所述多个存储单元连接的读取地址端,每对读取地址端分别提供第一和第二读取地址信号给每个相应的存储单元,所述第一读取地址信号通过所述第一位线将所述相应的存储单元的读取使能,并且所述第二读取地址信号通过所述第二位线将所述相应的存储单元的读取使能;一个输出端;以及一个与所述第一和第二位线及所述输出端连接的选择器开关,这个选择器用来响应控制输入,选择性地将所述输出端与所述第一和第二位线的相应一条连接,由此所述第一和第二地址信号将所述存储单元的读取使能。
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