[发明专利]铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料及制备方法无效
| 申请号： | 98110340.5 | 申请日： | 1998-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1062611C | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 梅良模;陈晨;郭慧群;刘宜华;栾开政 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C22C38/14 | 分类号： | C22C38/14;C21D8/12 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 刘旭东 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于功能材料技术领域。本发明的主要内容是采用新的掺杂铁锆硼材料体系，其组分为Ｆｅ100-x-y-zZryBzMx，通过熔炼、快淬形成非晶薄带，然后进行退火处理，最终得到铁锆硼掺杂的纳米晶巨磁阻抗（ＧＭＩ）薄带材料。本发明解决了现有材料存在的温度稳定性差，时效老化严重，生产工艺复杂等缺点。采用本发明制得的纳米晶巨磁阻抗（ＧＭＩ）薄带材料具有良好的热稳定性，同时该发明还简化了工艺，降低了生产成本。$#! | ||
| 搜索关键词： | 铁锆硼 掺杂 纳米 磁阻 抗薄带 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料，其特征是该铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料的分子组分为Fe100-x-y-zZryBzMx，其中x，y，z的取值范围是：x：0～5y：5～10z：3～10掺杂物质M是铜、钒、铬、镍(Cu，V，Cr，Ni)金属材料中的一种。
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