[发明专利]半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 98114737.2 | 申请日： | 1998-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1204153A | 公开（公告）日： | 1999-01-06 |
| 发明（设计）人： | 能登隆行;大井英二;盐月八宏;加藤和雄;大萩秀树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L27/092;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在CMOS栅阵列中,对应于信号输入单元和对应于电源电压输入单元的每个键合焊盘由多个导体层构成,而对应于将不被采用的输入/输出单元的每个键合焊盘(未连接的焊盘)例如由最上层导体层构成。所以,与信号键合焊盘和电源电压键合焊盘相比,对应于将不被采用的输入/输出单元的每个键合焊盘(不连接的焊盘)其下的绝缘膜的厚度变得较厚,其与半导体衬底间的距离较远。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体集成电路器件，包括：对应于根据逻辑规范将采用的I／O单元的第一键合焊盘，每个第一键合焊盘由多个导体层构成；及对应于根据逻辑规范将不被采用的I／O单元的第二键合焊盘，每个第二键合焊盘由包括与多个导体层中最上层布线相同的导体层的至少一层导体层构成，且导体层数小于构成各所述第一键合焊盘的所述多个导体层的数目。
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