[发明专利]快闪存储单元的制造方法有效
| 申请号： | 98115229.5 | 申请日： | 1998-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1099705C | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王琳松;张格荥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8246;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快闪存储单元的制造方法包括步骤提供已设有至少一多层栅极结构的半导体基底，栅极结构包括第一导电层、介电层、第二导电层与氮化硅层；在栅极结构周围形成一第一间隙壁；在栅极结构与基底上形成多晶硅层；在多晶硅层的侧边周围形成第二间隙壁；以第二间隙壁为掩模进行离子注入，在基底中形成漏极区；去除第二间隙壁；限定掩模，进行离子注入，在基底中形成源极区；以及在基底与栅极结构上形成第三导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有分离栅极的快闪存储单元的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上已设有至少一多层栅极结构，其中该多层栅极结构包括一第一导电层、一介电层、一第二导电层与一氮化硅层；在该多层栅极结构周围形成一第一间隙壁；在该多层栅极结构与该半导体基底上形成一第一多晶硅层；在该多晶硅层的侧边周围形成一第二间隙壁；以该第二间隙壁作为一掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一漏极区；去除该第二间隙壁；限定掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一源极区；以及在该半导体基底与该多层栅极结构上形成一第三导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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