[发明专利]结构化方法无效
| 申请号： | 98116749.7 | 申请日： | 1998-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1207578A | 公开（公告）日： | 1999-02-10 |
| 发明（设计）人： | M·恩格尔哈德特;V·维恩里希 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/30;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种使至少一层待结构化薄层结构化的方法,该方法包括下列步骤在待结构化的薄层上覆盖上掩膜,在使用掩膜的情况下,使该待结构化薄层结构化,去除掩膜,此时该待结构化薄层的材料的再沉积物被遗留,和该待结构化薄层的材料的再沉积物被机械抛光或化学机械抛光去除。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 方法 | ||
【主权项】：
1．用于结构化至少一层待结构化薄层的方法具有如下步骤：在待结构化薄层上覆盖一掩膜，在使用掩膜的条件下，将待结构化薄层结构化，去除掩膜，此时待结构化薄层的材料的再沉积物被遗留，和待结构化薄层的材料的再沉积物，通过机械抛光或化学机械抛光被去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98116749.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
