[发明专利]层间介电层平坦化制造方法有效
| 申请号： | 98116851.5 | 申请日： | 1998-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1239318A | 公开（公告）日： | 1999-12-22 |
| 发明（设计）人： | 罗吉进;李弘名 | 申请（专利权）人： | 世大积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 层间介电层 平坦 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层间介电层平坦化的制造方法，该平坦的介电层形成一基底上，该方法包括：形成一衬底氧化层在该基底之上；形成一硼磷硅玻璃在该衬底氧化层之上；对该硼磷硅玻璃进行平坦化制造工艺；形成一上覆氧化硅层于该硼磷硅玻璃之上；以及形成一氮化硅阻挡层在该上覆氧化硅层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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