[发明专利]制备高纯颗粒硅的方法无效
| 申请号： | 98117164.8 | 申请日： | 1998-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1216288A | 公开（公告）日： | 1999-05-12 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·施赖尔德尔;金希永 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B28/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在包含加热和反应区段的流化床反应器中,通过元素硅在细粒硅上沉积制备氯污染物量低于50ppm(重量)的颗粒硅的方法,在加热区段中的细粒硅用惰性、无硅载体气体使其流态化从而产生一流化床,并用微波能加热,在反应区段中,将其曝置于包含硅源气体和载体气体的反应气体中,其中,当在反应段中反应气体充注流态化细粒硅时,它的平均温度要低于900℃,当在反应段中流态化细粒硅被反应气体充注时,它的平均温度要高于900℃。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高纯 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在包含加热和反应区段的流化床反应器中通过将元素硅沉积在细粒硅上制备氯污染物含量低于50ppm(重量)的颗粒硅的方法，在加热区段的细粒硅用惰性无硅载体气流使其流态化而产生一流化床，并用微波能将其加热，在反应区段中，它被曝置于含有硅源气体和载体气体的反应气体中，其中，当在反应区段中反应气体充注流态化细粒硅时，它的平均温度要低于900℃。
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