[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98117209.1 | 申请日： | 1998-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1209653A | 公开（公告）日： | 1999-03-03 |
| 发明（设计）人： | 小槻一贵 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了减少因制造条件变动而引起的掩模ROM等半导体器件差误程序的几率,本发明的方法包括的步骤有在半导体基片上形成存储单元晶体管、在这些晶体管上形成金属布线、形成绝缘膜埋住金属布线、平整绝缘膜以及利用加工的薄膜图形和金属布线作掩膜注入离子。本发明的方法还可以包括利用光刻胶膜和金属布线作掩膜刻蚀掉部分平整的绝缘膜和夹层绝缘膜并利用未刻蚀掉的部分绝缘膜和夹层绝缘膜以及金属布线作掩膜进行离子注入等步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，它包括的步骤有：在一块半导体基片上形成存储器单元晶体管；经一层夹层绝缘膜在所述的存储器单元晶体管上形成一层金属布线；形成一层绝缘膜用以埋住所述的金属布线；平整所述的绝缘膜；以及利用加工成图形的一层光刻胶膜和所述的金属布线作为掩膜经所述绝缘膜向所述的半导体基片注入离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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