[发明专利]一种半导体器件及其生产方法无效
| 申请号： | 98117676.3 | 申请日： | 1998-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1211082A | 公开（公告）日： | 1999-03-17 |
| 发明（设计）人： | 野田研二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件,其中包括形成于硅衬底11的正面上的栅绝缘膜13、21;由多晶硅构成的栅极14、22;和一个高密度掺杂层17,其中栅极22的部分侧面与该高密度掺杂层之间通过一个金属硅化物层23电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其中包括一个形成于带有器件隔离区的硅衬底正面上的栅极绝缘膜、一个由多晶硅构成的栅极、用于在栅极侧面形成一个LDD-MOSFET的衬套以及一个高密度掺杂层；其特征在于其中形成于将与高密度掺杂层相接近并连接的栅极的侧壁上的衬套至少在形成高密度掺杂层之前就被除去，在除去衬套之后，栅极通过形成于高密度掺杂层上的金属硅化物层与高密度掺杂层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98117676.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
