[发明专利]带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 98120223.3 | 申请日： | 1998-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1213860A | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 东乡光洋 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在位于槽隔离部分附近的部分硅衬底中注入用于提高氧化速率的离子,例如氩。或者,在除槽隔离部分附近的部分以外的硅衬底部分中注入用于降低氧化速率的氮离子。然后,进行热氧化,从而形成厚度等于或大于其中部的厚度的栅绝缘膜。因此,防止了由于在栅极端部的栅绝缘膜变薄造成的绝缘击穿电压的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 隔离 结构 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种带有槽隔离结构的场效应晶体管，其特征在于位于槽隔离部分的端部附近的那部分栅绝缘膜的厚度等于或大于栅绝缘膜中部的厚度。
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