[发明专利]涂层细金属线和使用它的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98120434.1 | 申请日： | 1998-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1215214A | 公开（公告）日： | 1999-04-28 |
| 发明（设计）人： | 木村直人;伊藤隆博 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01B7/00 | 分类号： | H01B7/00;H01L21/60;H01L21/48;C09D5/25 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供用作半导体器件中的键合线的涂层细金属线及使用这种涂层细金属线的半导体器件。根据借助于放射处理去掉涂层细金属线的绝缘层的常规方法,在不损伤细金属线和保证高稳定性的情况下很难去掉绝缘层。根据本发明的涂层细金属线的绝缘层含有颜料或染料并以高效率地吸收激光。通过用具有合适发射波长的激光照射绝缘的一部分,以去掉该部分,绝缘层可以在不损伤细金属线的情况下被完全去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 金属线 使用 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种涂层细金属线，包括：细金属线，和绝缘层，形成在所述细金属线的周围，并能高效率地吸收预定发射波长的激光。
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