[发明专利]半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法无效
| 申请号： | 98124727.X | 申请日： | 1998-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1217577A | 公开（公告）日： | 1999-05-26 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木诚 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括MOS晶体管,其中源极、栅极及阱与地电势或源极线路的源极电势相连,而漏极与输入/输出线路相连,在此半导体器件的静电放电保护元件中,通过栅电极4限制阱接触孔与阱的接触面积,栅电极4是通过设置在阱接板8区域内的栅绝缘膜13而与阱12绝缘,其结果,很容易使MOS晶体管的寄生双极晶体管工作,并进行静电保护。相应地,可防止LSI中的MOS晶体管的静电击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 静电 放电 保护 元件 防护 绝缘 击穿 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于防止由于从外界到达包括MOS晶体管的集成电路的信号输入/输出部分的静电放电造成栅极绝缘击穿的半导体器件，其特征在于其通过一个设置在接触孔区域内的栅电极限制阱接孔与阱的接触面积，从而增大与阱的连接电阻。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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