[实用新型]高速功率开关晶体管无效
| 申请号： | 98200661.6 | 申请日： | 1998-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN2333092Y | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 亢宝位;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 北京工业大学专利代理事务所 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高速功率开关晶体管,是具有新型横向结构的栅辅助晶体管GAT。在芯片平面上看,该结构中的栅区由呈岛状分布的许多分立的区域构成,这些分立的岛状栅区在芯片平面上根据需要和制造工艺水平按一定间距排成阵列。该结构消除或减小了栅区与发射区之间的重叠,从而增加了发射区有效面积,可以显著地提高GAT单位面积平均电流容量,降低GAT管芯的制造成本,更好地实现GAT的产品化和商品化。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 功率 开关 晶体管 | ||
【主权项】：
1．一种具有栅辅助晶体管GAT结构的高速功率开关晶体管，包含有发射区(6)、基区(1)、栅区(2)和集电区(5)，栅区由基区延伸进入集电区中并具有与基区相同的半导体型号，其特征在于：在芯片平面上看，栅区由呈岛状分布的许多分立的区域(12)构成，这些分立的岛状栅区在芯片平面上排成阵列。
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