[发明专利]声界面波器件及其制造方法有效
| 申请号： | 98800584.0 | 申请日： | 1998-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1225760A | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 三岛直之 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以使电极激励的声波的变换效率提高,并避免电极间寄生电阻影响的声界面波器件及其制造方法。本发明在压电性第一基片2的主面上形成梳齿状电极3,在第一基体2的主面上形成电介质膜5以覆盖该梳齿状电极3并保持平滑表面4,再在其上粘合Si类第二基片6来构成。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种声界面波器件，其特征在于包括：压电性的第一基体；形成于所述第一基体主面、激励声波的电极；形成于所述第一基体主面上以覆盖所述电极并保持平滑表面的电介质膜；以及粘合在所述电介质膜表面上的Si类第二基体。
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