[发明专利]半导体及其有关方法无效
| 申请号： | 98802982.0 | 申请日： | 1998-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1249848A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | H·舍丁;A·瑟德尔贝里;N·厄格伦;I·哈姆贝里;D·奥洛夫松;K·安德森 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/22;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L29/73;H01L21/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造半导体元件的一种方法,可以提高界定元件各掺杂部位和分隔各掺杂部位的精确度。形状可选择的部位由例如多晶硅组成,起界定待掺杂的一个或多个部位;在敷上掩模之前淀积到元件上。这样可以使掩膜的固定要求不那么严格,只要固定在多晶硅层的部位即可,从而达到0.1微米或更高的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 有关 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体元件的一种方法，所述半导体元件的载流衬底(1；1′)具有至少一个n+掺杂部位和/或至少一个P+掺杂部位，其中至少一个形状可以选定的部位(11′；11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成，淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用，然后经过至少一次下列一系列步骤的处理：敷上掩模层(19，23；33′)以界定元件应掺杂的部位，掩模在所选形状部位(11′；11″)的一部分上延伸开，且厚到掺杂剂离子透不过去的程度；令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中；除去掩模；其特征在于，形状可选择的部位(11′；11″)不是有源元件经过这些步骤之后得出的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
