[发明专利]非易失性存储器单元的精确编程有效
| 申请号： | 98803104.3 | 申请日： | 1998-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1249843A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 萨卡瓦特·M·汗;乔治·J·科尔施 | 申请（专利权）人： | 阿加特半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦,穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用集成电路存储器系统和方法对单个或多个非易失性存储器单元的热载流子进行精确注入来编程。在各编程周期之后是检验周期。通过在连续编程周期期间逐步增大地改变流过存储器单元(45)中的源(42)与漏(415)之间的编程电流脉冲和在连续检验周期期间的恒定电流,可实现精确编程。电流控制和电压模式检测电路(416)减小了电路复杂性,减小了编程单元电流,降低了功耗,并且能够按页面模式操作。精确编程对于多电平数字和模拟信息存储来说是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 单元 精确 编程 | ||
【主权项】：
1.集成电路存储器系统，包括：控制装置，控制所述集成电路存储器系统的操作；多个存储器单元，各存储器单元包括源、漏、控制栅和浮栅，所述浮栅能够存储电荷，通过向所述浮栅注入电荷热载流子可对所述存储器单元编程；和电路装置，响应于所述控制装置，在存储器单元的编程期间，对所述源、漏和控制栅反复地施加电压和控制在所述源与漏之间流动的电流，以便精确地控制存储于所述浮栅上的电荷量。
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