[发明专利]以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构无效
| 申请号： | 98807535.0 | 申请日： | 1998-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1265227A | 公开（公告）日： | 2000-08-30 |
| 发明（设计）人： | 德萨德·彼得斯;莱因霍尔德·肖纳 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;//H01L29/78;29/808H01L29/812;29/739 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构。该SiC半导体结构(2)至少包含三个半导体区(G1至G3),其中第三半导体(G3)的表面包围第二半导体区(G2)的表面,即第二分型面(F2),而第二半导体区(G2)表面又包围第一半导体区(G1)的表面,即第一分型面(F1)。根据本发明,第二分型面(F2)的边部(R2)的轮廓由第一分型面(F1)的边部(R1)的轮廓所决定,两者的关系是第二分型面(F2)基本上是第一分型面(F1)的特殊扩展图像,其中第二分型面(F2)的边部(R2)的轮廓与该扩展图像的精确轮廓(Re)的偏差(△a)最大为±10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 材料 基材 具有 不同 电气 特性 分区 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种以碳化硅材料为基材的半导体结构，它具有多个不同电气特性的半导体区，其中至少有：-第一半导体区(G1)，-第二半导体区(G2)，其表面包围第一半导体区(G1)的表面，即第一分型面(F1)，以及-另一半导体区(G3)，其表面包围第二半导体区(G2)的表面，即第二分型面(F2)，其特征在于：a)第一分型面(F1)的边部(R1)的轮廓被预先给定，b)第二分型面(F2)的边部(R2)的轮廓由第一分型面(F1)的边部(R1)的轮廓所决定，其方法为：虚拟地以第一分型面(F1)的边部(R1)上的各点为圆心，以恒定半径(r)作圆(Kj)，所有的圆有一个共同的外包络线(U)，它确定第二分型面(F2)的虚拟精确边部(Re)的轮廓，第二分型面(F2)的实际边部(R2)与该精确边部(Re)最大间隔为±10nm。
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