[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 99100193.1 申请日: 1999-01-18
公开(公告)号: CN1224218A 公开(公告)日: 1999-07-28
发明(设计)人: 杉林直彦 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 中科专利代理有限责任公司 代理人: 刘晓峰
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体存储器件,具有选择读出放大器列的较少逻辑门。读出放大器列(102—0至102—2)根据块地址值被选择。对应两个低位地址值X5至X0中的格雷码选择读出放大器列的顺序。X1可被作为预解码信号C1而被提供到读出放大器选择电路中的与非门110—0。X0可被作为预解码信号C2而被提供到读出放大器选择电路中的与非门110—1。使用预解码值X0及X1而不使用被解码值,可减少选择读出放大器列所需的逻辑。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,其特征在于包含:多个单元阵列;多个解码器,其选择单元阵列中的单元;多个读出放大器列,设置在单元阵列间;多个读出放大器选择电路,接收多个地址值,并提供选择相关的读出放大器列中的至少一个读出放大器的选择信号,该读出放大器选择电路至少根据两个低有效地址值提供格雷码顺序的选择信号值。
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