[发明专利]具有薄板的片上引线型半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 99100229.6 | 申请日： | 1999-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1224241A | 公开（公告）日： | 1999-07-28 |
| 发明（设计）人： | 稻叶健仁 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/00;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有片上引线结构的半导体器件中,一薄板(9)被安置在半导体元件(1B)的外围区域,其厚度大体上与半导体元件的厚度相同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄板 引线 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．具有片上引线结构的半导体器件，其包括一被安置在半导体元件(1B)的外围区域并具有与所述半导体元件厚度大体上相同的薄板(9)。
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