[发明专利]电子束单元投影孔径生成方法无效
| 申请号： | 99100842.1 | 申请日： | 1999-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1236976A | 公开（公告）日： | 1999-12-01 |
| 发明（设计）人： | 山下浩 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;G03F1/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 姜丽楼 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子束投影孔径生成方法,它包括把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤,以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度以在所述顶表面形成所需要的图形的开口;以及把所述聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的基片底表面的步骤,以便蚀刻至达到开口的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 单元 投影 孔径 生成 方法 | ||
【主权项】：
1．一种电子束投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度以在所述顶表面形成想要的图形的开口；以及把所述聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的所述基片底表面的步骤，以便蚀刻到达到所述开口的深度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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