[发明专利]可修改的半导体电路元件无效
申请号: | 99101295.X | 申请日: | 1999-01-28 |
公开(公告)号: | CN1249538A | 公开(公告)日: | 2000-04-05 |
发明(设计)人: | P·R·伍德斯;I·J·佩雷兹 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,陈景峻 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种集成电路芯片(10),具有带几个叠置金属层(M3、M4)的衬底(36)。下金属层(M3)紧邻衬底,上层(M4)设置在下层上并与下层隔开。芯片具有电路,电路包括多个电路元件(16)和多个存取元件(20),每个都关联并电连接到一个电路元件。每个存取元件包括下层中的第一和第二端子(32、34)和上层中的细长的跨接元件(30)。跨接元件具有叠置并电连接到第一端子的第一端,叠置并电连接到第二端子的第二端。连接一个端子提供到电源或到相关电路元件的输入或输出的连接。然后通过切断跨接元件或将跨接元件连接到芯片上的其它电路使电路元件的操作无效或使能由此修改芯片。 | ||
搜索关键词: | 修改 半导体 电路 元件 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路芯片(10),包括衬底(36);叠置在衬底上的多个金属层(M3、M4);包括与衬底相邻的下层(M3)和在下层上设置且与下层隔开的上层(M4)的金属层;包括衬底上多个电路元件(16)的电路;多个存取元件(20),每个关联并电连接到一个电路元件;每个存取元件包括下层中的端子(32)、上层中的细长的跨接元件(30),跨接元件具有叠置并电连接到第一端子的第一端,以及叠置并电连接到第二端子的第二端(34)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的