[发明专利]分选互补金属氧化物半导体芯片的非接触、非侵入方法无效
| 申请号： | 99102081.2 | 申请日： | 1999-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1242599A | 公开（公告）日： | 2000-01-26 |
| 发明（设计）人： | 阿单姆·塞玛令都·高斯海尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/82;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种利用例如感应线圈的具有非接触发射元件的片内测试电路测试集成电路的方法,可以用非接触、非侵入的方法在该发射元件上磁感应该测试电路的输出。可以用具有片内感应线圈的非接触功率耦合元件激励有源电路元件,在功率耦合元件上产生电压。利用感应提供功率及磁探测可以使测试的片内时钟速度超过10MHz。该方法克服了划片槽尺寸带来的限制,可以应用于圆片制造过程中的多芯片的圆片,即应用于制造的中间步骤,尤其是早期步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 分选 互补 金属 氧化物 半导体 芯片 接触 侵入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试集成电路的方法，由以下步骤组成：在集成电路的衬底上制造多个电路元件；至少为一个电路元件形成测试电路，该测试电路包括非接触发射元件；激励具有该测试电路的该电路元件；以及在该发射元件上探测该测试元件的输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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