[发明专利]半导体装置

摘要

在硅衬底1上形成的存取晶体管A1的漏区是n－、n+型漏区6a、8a，源区是n－、n+型源区6b、8b。驱动晶体管的源区是n－、n++型源区6c、10，漏区是n－、n+型漏区6b、8b。将n++型源区10形成得比n+型漏区8b深。由此，可得到能抑制制造成本的上升并能谋求静态噪声容限的提高的半导体装置。

主权项

1．一种半导体装置，其特征在于，包括：在半导体衬底1的主表面上形成的第1导电型区3；第2导电型的第1杂质区6c、第2杂质区6b和第3杂质区6a，在上述第1导电型区3的主表面中分别隔开一定距离而形成并具有第1杂质浓度；第2导电型的第4杂质区8a，在主表面中在上述第3杂质区6a内形成，它比第3杂质区6a深，具有比上述第1杂质浓度高的第2杂质浓度；第1栅电极5b，在被上述第1杂质区6c和上述第2杂质区6b夹住的上述第1导电型区的表面上使栅氧化膜4介入而形成；第2栅电极5a，在被上述第2杂质区6b和上述第3杂质区6a夹住的上述第1导电型区的表面上使栅绝缘膜4介入而形成；以及第2导电型的第5杂质区10，在主表面中在上述第1杂质区6c内形成，它比上述第2杂质区6b深，具有比上述第2杂质浓度高的第3杂质浓度。