[发明专利]在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术无效
| 申请号： | 99102190.8 | 申请日： | 1999-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1227408A | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 乔基姆·霍夫纳 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法。包括在衬底内形成沟槽。沟槽具有沟槽内表面。还包括在沟槽内形成氧化物轴环。氧化物轴环覆盖沟槽内表面的第一部分，留下沟槽内表面的第二部分未由氧化轴环覆盖。还包括使用等离子体增强的掺杂工艺用第一掺杂剂掺杂沟槽内表面的第二部分。设置等离子体增强的掺杂工艺使第一掺杂剂基本上扩散到第二部分内，且没有在沟槽内表面上淀积附加层。此外，包括使用高温工艺使第一掺杂剂驱入到衬底内形成掩埋板。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 沟槽 电容器 改进 技术 | ||
【主权项】：
1．一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法，包括：在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽具有沟槽内表面；在所述沟槽内形成氧化物轴环，所述氧化物轴环覆盖所述沟槽内表面的第一部分，留下所述沟槽内表面的第二部分没有被所述氧化轴环覆盖；此后使用等离子体增强的掺杂工艺用第一掺杂剂掺杂所述沟槽内表面的所述第二部分，设置所述等离子体增强的掺杂工艺使所述第一掺杂剂基本上扩散到所述第二部分内，而没有在所述沟槽内表面上淀积附加层；以及使用高温工艺将所述第一掺杂剂驱入到所述衬底内形成所述掩埋板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99102190.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
